A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴(kuò)展
D、A、B、C選項都對
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A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗批只進(jìn)行一組試驗時,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的平均值作為檢驗結(jié)果
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
可用作硅片的研磨材料是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()