A、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%,則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長(zhǎng)200mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長(zhǎng)200mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級(jí)越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場(chǎng)所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽(yáng)的屋檐下
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
可用作硅片的研磨材料是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()