A、每次試驗應(yīng)制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另5個用于測定彈性模量
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A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中,最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()