A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件,3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn),另3個(gè)用于測(cè)定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測(cè)定彈性模量,因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件,1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn),另5個(gè)用于測(cè)定彈性模量
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A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%,則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中,最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25級(jí)砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
可用作硅片的研磨材料是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。