A、試驗?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
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A、抗折試驗過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項都不對
A、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級的砼應(yīng)由試驗確定
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。