A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
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A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為（18～20）℃的水，加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
B、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水，加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi)，水溫不低于10℃，且在30min后水溫能保持在（18～20）℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過(guò)試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過(guò)2℃
D、滿載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過(guò)5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。