多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗箱內試件擺放要求，正確的有（）。
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內壁之間應至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應緊密擺放
D、試件架中各試件之間應至少保持30mm空隙
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1.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗凍融試驗箱的溫控要求，正確的有（）。
A、冷凍期間箱內溫度應能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內浸泡砼試件的水溫應能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內各點溫度極差不應超過2℃
D、滿載時箱內各點溫度極差不應超過5℃
2.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
3.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
4.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
5.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
最新試題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題