A、3個(gè)試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過1%時(shí)，取中間值作為測定值
C、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí)，取中間值作為測定值
D、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí)，試驗(yàn)結(jié)果無效
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A、當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí)，取其余2個(gè)測值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí)，強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為（18～20）℃的水，加水時(shí)間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水，加水時(shí)間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi)，水溫不低于10℃，且在30min后水溫能保持在（18～20）℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。