A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
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A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
A、測(cè)溫試件就是凍融試驗(yàn)試件
B、測(cè)溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測(cè)溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測(cè)溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗(yàn)試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強(qiáng)度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動(dòng)彈性模量測(cè)定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。