A.高分子防水卷材
B.無(wú)膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
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A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫，下表面試件五個(gè)均無(wú)裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫，下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無(wú)膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為（150±1）mm×（25±1mm）
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取，長(zhǎng)邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）