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A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無磨粒CMP技術(shù)
C.無應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機械平坦化技術(shù)
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,電路速度可增加α倍
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
A.實現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)
A.工藝實現(xiàn)存在問題
B.源漏耗盡區(qū)寬度不可能按比例縮小
C.閾值電壓不可能縮的太小
D.電源電壓標(biāo)準(zhǔn)的改變會帶來很大的不便
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
影響封裝芯片特性的溫度有()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
互連工藝中AL的制備可選用()。
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
進行光刻工藝前的清洗步驟是()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。