刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。