刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）