金屬化中可選用的金屬材料有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）