當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。