光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）