給定器件結構和摻雜分布，采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬態(tài)特性和某些電學參數(shù)））。
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
光刻工藝的特點包括（）。
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
摻雜后，退火的目的是（）。
光刻工藝的設備核心是（）。