濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。