當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。