摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。