摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。