硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。