互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。