進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。