判斷題在集成電路制造工藝步驟中,光刻與刻蝕能把掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上來(lái)。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
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刻蝕過程中聚合物形成的來(lái)源有()。
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封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
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下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題