進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CMP的設備構成包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）