封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。