晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

版圖設計的基本前提是什么？