集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。