最新試題

BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型:多項(xiàng)選擇題

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

題型:?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

題型:多項(xiàng)選擇題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。

題型:?jiǎn)柎痤}

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?

題型:?jiǎn)柎痤}

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?

題型:?jiǎn)柎痤}

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?

題型:?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。

題型:多項(xiàng)選擇題