問(wèn)答題封裝中涉及到的主要材料有哪些？

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

最新試題

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

題型：多項(xiàng)選擇題

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

題型：?jiǎn)柎痤}

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

題型：?jiǎn)柎痤}