問答題簡述引線框架材料?
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題