編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么？

版圖設計的基本前提是什么？

MOS器件存在哪些二階效應？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

什么是MOS器件的體效應？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。