A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
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A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會(huì)改變
B.其機(jī)械性能會(huì)發(fā)生改變
C.其晶格類型會(huì)發(fā)生改變
D.其晶粒大小會(huì)發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()