A.不會在恒溫下結(jié)晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時效強(qiáng)化
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A.其晶粒形狀會改變
B.其機(jī)械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
A.高強(qiáng)度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。