屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

PN結的基本特性是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）

可用作硅片的研磨材料是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。