硅片拋光在原理上不可分為（）

下列是晶體的是（）。 

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。