原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。