鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）