如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

下列是晶體的是（）。 

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

PN結(jié)的基本特性是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）