多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

可用作硅片的研磨材料是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）