一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

下列是晶體的是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。