影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

下列是晶體的是（）。 

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）