單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
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1.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
2.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
3.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
4.單項選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
5.單項選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細砂作為墊層，墊層厚度可取（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
最新試題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題