單項選擇題扁頂法正式測試前,應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的()進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測量砌體變形讀數(shù)時,應(yīng)測量(),并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
2.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為()。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
3.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時,多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
4.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時,普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為()。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題