單項選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測量砌體變形讀數(shù)時,應(yīng)測量(),并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
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1.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為()。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
2.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時,多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
3.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時,普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
4.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為()。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
5.單項選擇題原位軸壓法正式測試前,應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的()進(jìn)行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題