直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

PN結(jié)的基本特性是（）

下列是晶體的是（）。