單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應(yīng)根據(jù)測試儀表的校驗結(jié)果，進行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
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1.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
2.單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強度等級不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
3.單項選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備，在檢測前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對誤差不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
4.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
5.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護（）后，再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題