單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護(hù)（）后，再進(jìn)行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
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1.單項選擇題切制抗壓試件運(yùn)至試驗室后，試件上下表面修理平整，頂面應(yīng)用（）找平。
A.1：1水泥砂漿
B.1：2水泥砂漿
C.1：3水泥砂漿
D.1：4水泥砂漿
2.單項選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗機(jī)，其精度（示值的響度誤差）不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
3.單項選擇題切制抗壓試件法的測試設(shè)備，切割墻體豎向通縫的切割機(jī)，以下哪個不符合要求（）。
A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
4.單項選擇題當(dāng)宏觀檢測墻體的砌筑質(zhì)量差或砌筑砂漿強(qiáng)度等級低于（）時，不宜選用切制抗壓試件法。
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
5.單項選擇題扁頂法測試砌體受壓彈性模量時，累計加荷的應(yīng)力上限不應(yīng)大于槽間砌體極限抗壓強(qiáng)度的（）。
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題