懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。