單項(xiàng)選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標(biāo)中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
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1.單項(xiàng)選擇題推出法選擇測點(diǎn)時(shí)被推丁磚下的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
2.單項(xiàng)選擇題推出法適用于推定（）厚燒結(jié)普通磚、燒結(jié)多孔磚的砌筑砂漿強(qiáng)度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
3.單項(xiàng)選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應(yīng)力時(shí)，以下哪個(gè)要求不正確（）。
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
D.開槽時(shí)不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
4.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法當(dāng)采用釋放時(shí)間上部壓應(yīng)力σ的測試方案時(shí)，應(yīng)掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
5.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術(shù)指標(biāo)中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題