單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術指標中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
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1.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
2.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結普通磚、燒結多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
3.單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
4.單項選擇題原位雙剪法當采用釋放時間上部壓應力σ的測試方案時，應掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
5.單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題